FDMB2307NZ

MOSFET 2N-CH 6-MLP
FDMB2307NZ P1
FDMB2307NZ P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDMB2307NZ

Numéro d'article
FDMB2307NZ
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET 2N-CH 6-MLP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article FDMB2307NZ
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) -
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 800mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-WDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur 6-MLP (2x3)

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