FDD6690A

MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
FDD6690A P1
FDD6690A P2
FDD6690A P1
FDD6690A P2
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDD6690A

Numéro d'article
FDD6690A
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- FDD6690A PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article FDD6690A
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 46A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1230pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 3.3W (Ta), 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 12A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur D-PAK (TO-252AA)
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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