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| Numéro d'article | EPC2105 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Caractéristique | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 80V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 9.5A, 38A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V |
| Puissance - Max | - |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | Die |
| Package de périphérique fournisseur | Die |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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