ZXGD3003E6TA

IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6
ZXGD3003E6TA P1
ZXGD3003E6TA P1
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Diodes Incorporated ~ ZXGD3003E6TA

Numéro d'article
ZXGD3003E6TA
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
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Numéro d'article ZXGD3003E6TA
État de la pièce Active
Configuration pilotée Low-Side
Type de canal Single
Nombre de pilotes 1
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 40V (Max)
Tension logique - VIL, VIH -
Courant - sortie de crête (source, évier) 5A, 5A
Type d'entrée Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) -
Rise / Fall Time (Typ) 8.9ns, 8.9ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-23-6
Package de périphérique fournisseur SOT-23-6

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