DMG1026UVQ-7

MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R
DMG1026UVQ-7 P1
DMG1026UVQ-7 P1
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Diodes Incorporated ~ DMG1026UVQ-7

Numéro d'article
DMG1026UVQ-7
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article DMG1026UVQ-7
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 440mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.45pC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 32pF @ 25V
Puissance - Max 650mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur SOT-563

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