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| Numéro d'article | DMC3016LSD-13 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Caractéristique | Logic Level Gate |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 8.2A, 6.2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 25.1nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1415pF @ 15V |
| Puissance - Max | 1.2W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Package de périphérique fournisseur | 8-SO |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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DMC3016LDV-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333 | - | 0 | Détails |
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DMC3016LDV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333 | - | 4000 | Détails |
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DMC3016LNS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333 | - | 0 | Détails |
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DMC3016LNS-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333 | - | 4000 | Détails |
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DMC3016LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO | - | 215000 | Détails |
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DMC3018LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC | - | 0 | Détails |
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DMC3021LK4-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L | - | 2500 | Détails |
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DMC3021LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO | - | 17500 | Détails |
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DMC3021LSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO | - | 0 | Détails |
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DMC3025LDV-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333 | - | 0 | Détails |
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DMC3025LDV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333 | - | 6000 | Détails |
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DMC3025LNS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333 | - | 0 | Détails |