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| Numéro d'article | BAV116HWF-7 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 130V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 215mA (DC) |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
| La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 3µs |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 5nA @ 75V |
| Capacitance @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | SOD-123F |
| Package de périphérique fournisseur | SOD-123F |
| Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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BAV100-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80 | - | 2500 | Détails |
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BAV100-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80 | - | 0 | Détails |
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BAV101 L0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GP 250V 200MA MINIMELF | - | 2421329 | Détails |
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BAV101 L1G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GP 250V 200MA MINIMELF | - | 2656723 | Détails |
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BAV101-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80 | - | 0 | Détails |
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BAV101-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80 | - | 0 | Détails |
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BAV102 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 150V 200MA LL34 | - | 5000 | Détails |
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BAV102,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 250MA LLDS | 0 | Détails | |
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BAV102,135 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 250MA LLDS | 0 | Détails | |
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BAV102-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80 | - | 5000 | Détails |
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BAV102-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD80 | - | 0 | Détails |
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BAV102-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN 150V 200MA MINI MELF | - | 0 | Détails |