CDBGBSC101200-G

DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
CDBGBSC101200-G P1
CDBGBSC101200-G P1
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Comchip Technology ~ CDBGBSC101200-G

Numéro d'article
CDBGBSC101200-G
Fabricant
Comchip Technology
La description
DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Matrices
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Numéro d'article CDBGBSC101200-G
État de la pièce Active
Configuration de diode 1 Pair Common Cathode
Type de diode Silicon Carbide Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode) 18A (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.7V @ 5A
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 100µA @ 1200V
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247

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