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| Numéro d'article | SM8S33CA-Q |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type | Zener |
| Canaux unidirectionnels | - |
| Canaux bidirectionnels | 1 |
| Tension - Inverser l'écart (Typ) | 33V |
| Tension - Panne (Min) | 36.7V |
| Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 53.3V |
| Courant - Impulsion de crête (10 / 1000μs) | 124A |
| Puissance - Impulsion de crête | 6600W (6.6kW) |
| Protection de ligne électrique | No |
| Applications | Automotive |
| Capacité @ Fréquence | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | DO-218AB |
| Package de périphérique fournisseur | DO-218 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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SM8S10A-E3/2D | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB | 0 | Détails | |
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SM8S10AHE3/2D | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB | 0 | Détails | |
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SM8S10AHE3/2E | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB | 0 | Détails | |
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SM8S10AHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 17VC 388A DO218AB | - | 0 | Détails |
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SM8S10ATHE3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 10VWM 17VC | - | 0 | Détails |
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SM8S10HE3/2D | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 10VWM 18.8VC DO218AB | - | 0 | Détails |
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SM8S10HE3/2E | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 10VWM 18.8VC DO218AB | - | 0 | Détails |
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SM8S11-E3/2D | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 11VWM 20.1VC DO218AB | 0 | Détails | |
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SM8S11AHE3/2D | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO218AB | 0 | Détails | |
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SM8S11AHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 18.2VC 363A DO218AB | - | 0 | Détails |
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SM8S11ATHE3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 11VWM 18.2VC | - | 0 | Détails |
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SM8S11HE3/2D | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 11VWM 20.1VC DO218AB | - | 0 | Détails |