ALD111910SAL

MOSFET 2N-CH 8SOIC
ALD111910SAL P1
ALD111910SAL P1
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Advanced Linear Devices Inc. ~ ALD111910SAL

Numéro d'article
ALD111910SAL
Fabricant
Advanced Linear Devices Inc.
La description
MOSFET 2N-CH 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article ALD111910SAL
État de la pièce Active
FET Type -
FET Caractéristique -
Drain à la tension de source (Vdss) -
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max -
Température de fonctionnement -
Type de montage -
Paquet / cas -
Package de périphérique fournisseur -

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