ALD1110EPAL

MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
ALD1110EPAL P1
ALD1110EPAL P1
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Advanced Linear Devices Inc. ~ ALD1110EPAL

Numéro d'article
ALD1110EPAL
Fabricant
Advanced Linear Devices Inc.
La description
MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article ALD1110EPAL
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 10V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 Ohm @ 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.01V @ 1µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V
Puissance - Max 600mW
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Package de périphérique fournisseur 8-PDIP

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