SQM40022EM_GE3

MOSFET N-CHAN 40V
SQM40022EM_GE3 P1
SQM40022EM_GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SQM40022EM_GE3

Número de pieza
SQM40022EM_GE3
Fabricante
Vishay Siliconix
Descripción
MOSFET N-CHAN 40V
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- SQM40022EM_GE3 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza SQM40022EM_GE3
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 150A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.63 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9200pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-263-7
Paquete / caja TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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