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| Número de pieza | SQJQ904E-T1_GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Standard |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5900pF @ 20V |
| Potencia - Max | 75W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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SQJQ900E-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8 | 0 | Detalles | |
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SQJQ904E-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8 | - | 2000 | Detalles |
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SQJQ906E-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8 | - | 52378 | Detalles |
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SQJQ906EL-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8 | - | 0 | Detalles |
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SQJQ910EL-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8 | - | 41971 | Detalles |
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SQJQ960EL-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK8X8 | - | 61409 | Detalles |
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SQJQ980EL-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK8X8 | - | 52378 | Detalles |