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| Número de pieza | SQJ464EP-T1_GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 32A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 7.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2086pF @ 30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 45W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 |
| Paquete / caja | PowerPAK® SO-8 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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SQJ460AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8 | - | 0 | Detalles |
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SQJ461EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 30A | - | 0 | Detalles |
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SQJ463EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 30A | - | 0 | Detalles |
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SQJ464EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 32A POWERPAKSO-8 | - | 150575 | Detalles |
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SQJ465EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 8A POWERPAK SO-8 | - | 0 | Detalles |
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SQJ469EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8 | - | 0 | Detalles |