SIHA240N60E-GE3

MOSFET N-CHAN 600V TO-220 FP
SIHA240N60E-GE3 P1
SIHA240N60E-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SIHA240N60E-GE3

Número de pieza
SIHA240N60E-GE3
Fabricante
Vishay Siliconix
Descripción
MOSFET N-CHAN 600V TO-220 FP
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- SIHA240N60E-GE3 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza SIHA240N60E-GE3
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 783pF @ 100V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 31W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220 Full Pack
Paquete / caja TO-220-3 Full Pack

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