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| Número de pieza | SI3460BDV-T1-E3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 8V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2W (Ta), 3.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 6-TSOP |
| Paquete / caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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SI3460-E02-GM | Silicon Labs | IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN | 0 | Detalles | |
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SI3460-E02-GMR | Silicon Labs | IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN | 0 | Detalles | |
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SI3460-E03-GM | Silicon Labs | IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN | 0 | Detalles | |
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SI3460-E03-GMR | Silicon Labs | IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN | 0 | Detalles | |
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SI3460BDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP | - | 12000 | Detalles |
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SI3460BDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP | - | 0 | Detalles |
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SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP | - | 0 | Detalles |
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SI3460DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP | - | 3000 | Detalles |
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SI3460DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP | - | 0 | Detalles |
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SI3461-E01-GM | Silicon Labs | IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN | 0 | Detalles | |
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SI3461-E01-GMR | Silicon Labs | IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN | 0 | Detalles | |
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SI3461-E02-GM | Silicon Labs | IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN | 0 | Detalles |