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| Número de pieza | TPH3208LSG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 14A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 300µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 8V |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 400V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 96W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 3-PQFN (8x8) |
| Paquete / caja | 3-PowerDFN |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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TPH3202LD | Transphorm | GAN FET 600V 9A PQFN88 | - | 100 | Detalles |
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TPH3206LXB | Transphorm | 650V, 150M | - | 0 | Detalles |