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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TC58NVG2S0HBAI4

Número de pieza	TC58NVG2S0HBAI4
Estado de la pieza	Active
Tipo de memoria	Non-Volatile
Formato de memoria	EEPROM
Tecnología	EEPROM - NAND
Tamaño de la memoria	4Gb (512M x 8)
Frecuencia de reloj	-
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página	25ns
Tiempo de acceso	25ns
interfaz de memoria	Parallel
Suministro de voltaje	2.7 V ~ 3.6 V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	63-VFBGA
Paquete de dispositivo del proveedor	63-TFBGA (9x11)

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	PDF	En stock	Ver
TC58NVG0S3HBAI4	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 1GBIT 25NS 63TFBGA	-	181	Detalles
TC58NVG0S3HBAI6	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 1GBIT 25NS 67FBGA	-	16	Detalles
TC58NVG0S3HTA00	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP	-	327	Detalles
TC58NVG0S3HTAI0	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP	-	0	Detalles
TC58NVG1S3ETA00	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP		0	Detalles
TC58NVG1S3ETAI0	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP		0	Detalles
TC58NVG1S3HBAI4	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 2GBIT 25NS 63FBGA	-	31	Detalles
TC58NVG1S3HBAI6	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 2GBIT 25NS 67VFBGA	-	225	Detalles
TC58NVG1S3HTA00	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP	-	0	Detalles
TC58NVG1S3HTAI0	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP	-	31	Detalles
TC58NVG2S0FTA00	Toshiba Semiconductor and Storage	IC FLASH 4GBIT 25NS 48TSOP		163	Detalles
TC58NVG2S0HBAI4	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 63TFBGA	-	0	Detalles