Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM6K211FE,LF

Número de pieza	SSM6K211FE,LF
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3.2A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	10.8nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	510pF @ 10V
Vgs (Max)	±10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	47 mOhm @ 2A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	ES6 (1.6x1.6)
Paquete / caja	SOT-563, SOT-666

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	PDF	En stock	Ver
SSM6K202FE,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6	-	12000	Detalles
SSM6K204FE,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V ES6	-	453582	Detalles
SSM6K211FE,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6	-	0	Detalles
SSM6K217FE,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6	-	3510	Detalles
SSM6K341NU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 6A 6-UDFNB	-	424904	Detalles
SSM6K361NU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-UDFNB	-	438045	Detalles
SSM6K403TU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 20V 4.2A	-	3000	Detalles
SSM6K411TU(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 20V 10A	-	0	Detalles
SSM6K504NU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 9A UDFN6B		3000	Detalles
SSM6K513NU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET NCH 30V 15A UDFNB		9000	Detalles
SSM6K514NU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE MOS	-	0	Detalles
SSM6K781G,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C	-	0	Detalles