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Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM3K301T(TE85L,F)

Número de pieza	SSM3K301T(TE85L,F)
Estado de la pieza	Last Time Buy
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3.5A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	1.8V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	4.8nC @ 4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	320pF @ 10V
Vgs (Max)	±12V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	56 mOhm @ 2A, 4V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TSM
Paquete / caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	PDF	En stock	Ver
SSM3K301T(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM	-	0	Detalles
SSM3K302T(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 3A TSM		0	Detalles
SSM3K303T(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM	-	0	Detalles
SSM3K309T(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM	-	0	Detalles
SSM3K310T(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS	-	3000	Detalles
SSM3K315T(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 6A TSM	-	0	Detalles
SSM3K316T(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 4A TSM		0	Detalles
SSM3K318R,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM	-	9000	Detalles
SSM3K318T,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM	-	0	Detalles
SSM3K324R,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F		45000	Detalles
SSM3K329R,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A	-	78000	Detalles
SSM3K333R,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A	-	15000	Detalles