SSM3K116TU,LF

MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
SSM3K116TU,LF P1
SSM3K116TU,LF P2
SSM3K116TU,LF P3
SSM3K116TU,LF P1
SSM3K116TU,LF P2
SSM3K116TU,LF P3
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM3K116TU,LF

Número de pieza
SSM3K116TU,LF
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- SSM3K116TU,LF PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza SSM3K116TU,LF
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.2A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 245pF @ 10V
Vgs (Max) ±12V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 500mA, 4.5V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor UFM
Paquete / caja 3-SMD, Flat Leads

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