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Toshiba Semiconductor and Storage ~ 2SB906-Y(TE16L1,NQ

Número de pieza: 2SB906-Y(TE16L1,NQ
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: TRANS PNP 60V 3A PW-MOLD
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos: 2SB906-Y(TE16L1,NQ.pdf 2SB906-Y(TE16L1,NQ PDF online browsing
Familia: Transistores - Bipolar (BJT) - Simple

Número de pieza	2SB906-Y(TE16L1,NQ
Estado de la pieza	Active
Tipo de transistor	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	3A
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	60V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic	1.7V @ 300mA, 3A
Corriente - corte de colector (máximo)	100µA (ICBO)
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 500mA, 5V
Potencia - Max	1W
Frecuencia - Transición	9MHz
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor	PW-MOLD

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	PDF	En stock	Ver
	2SB906-Y(TE16L1,NQ	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PNP 60V 3A PW-MOLD		2000	Detalles