1SS307E,L3F

DIODE SW GP 80V 100MA ESC
1SS307E,L3F P1
1SS307E,L3F P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ 1SS307E,L3F

Número de pieza
1SS307E,L3F
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
DIODE SW GP 80V 100MA ESC
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Diodos - Rectificadores
- Simple
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Número de pieza 1SS307E,L3F
Estado de la pieza Active
Tipo de diodo Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) 80V
Corriente - promedio rectificado (Io) 100mA
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 1.3V @ 100mA
Velocidad Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tiempo de recuperación inversa (trr) -
Current - Reverse Leakage @ Vr 10nA @ 80V
Capacitancia @ Vr, F 6pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SC-79, SOD-523
Paquete de dispositivo del proveedor SC-79
Temperatura de funcionamiento - unión 150°C (Max)

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