TSP10H60S S1G

DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO277A
TSP10H60S S1G P1
TSP10H60S S1G P1
Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.

Taiwan Semiconductor Corporation ~ TSP10H60S S1G

Número de pieza
TSP10H60S S1G
Fabricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción
DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO277A
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- TSP10H60S S1G PDF online browsing
Familia
Diodos - Rectificadores
- Simple
  • En stock $ Cantidad pcs
  • Precio de referencia : submit a request

Enviar una solicitud de cotización en cantidades mayores que las mostradas.

Parámetro del producto

Todos los productos

Número de pieza TSP10H60S S1G
Estado de la pieza Active
Tipo de diodo Schottky
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) 60V
Corriente - promedio rectificado (Io) 10A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 640mV @ 10A
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) -
Current - Reverse Leakage @ Vr 150µA @ 60V
Capacitancia @ Vr, F -
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja TO-277, 3-PowerDFN
Paquete de dispositivo del proveedor TO-277A (SMPC)
Temperatura de funcionamiento - unión -55°C ~ 150°C

Productos relacionados

Todos los productos