ES1JF R3G

DIODE GEN PURP 600V 1A SMA-FL
ES1JF R3G P1
ES1JF R3G P1
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Taiwan Semiconductor Corporation ~ ES1JF R3G

Número de pieza
ES1JF R3G
Fabricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción
DIODE GEN PURP 600V 1A SMA-FL
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- ES1JF R3G PDF online browsing
Familia
Diodos - Rectificadores
- Simple
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Número de pieza ES1JF R3G
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de diodo Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Corriente - promedio rectificado (Io) 1A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 1.7V @ 1A
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) 35ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 5µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F 9pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja DO-221AC, SMA Flat Leads
Paquete de dispositivo del proveedor SMA-FL
Temperatura de funcionamiento - unión -55°C ~ 150°C

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