RSR020N06TL

MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
RSR020N06TL P1
RSR020N06TL P1
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Rohm Semiconductor ~ RSR020N06TL

Número de pieza
RSR020N06TL
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- RSR020N06TL PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza RSR020N06TL
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 4.9nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 540mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 2A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TSMT3
Paquete / caja SC-96

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