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| Número de pieza | RBR10NS30AFHTL |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Configuración de Diodo | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo de diodo | Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
| Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo) | 10A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 550mV @ 5A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100µA @ 30V |
| Temperatura de funcionamiento - unión | 150°C (Max) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paquete de dispositivo del proveedor | LPDS |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RBR10BM30AFHTL | Rohm Semiconductor | RBR10BM30AFH IS THE HIGH RELIABI | - | 182706 | Detalles |
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