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| Número de pieza | R8002ANX |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 800V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 12.7nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 210pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3 Ohm @ 1A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220FM |
| Paquete / caja | TO-220-2 Full Pack |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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R8002ANJFRGTL | Rohm Semiconductor | R8002ANJ FRG IS A POWER MOSFET W | - | 60048 | Detalles |
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R8002ANX | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM | 935 | Detalles | |
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R8005ANX | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 5A TO220 | 0 | Detalles | |
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R8008ANJFRGTL | Rohm Semiconductor | R8008ANJ FRG IS A POWER MOSFET W | - | 29898 | Detalles |
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R8008ANX | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM | 803 | Detalles | |
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R8010ANX | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 10A TO220 | 265 | Detalles | |
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R80M | Omron Automation and Safety | R80M, ROPE ONLY 80M | - | 0 | Detalles |