EMX1FHAT2R

NPNNPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
EMX1FHAT2R P1
EMX1FHAT2R P1
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Rohm Semiconductor ~ EMX1FHAT2R

Número de pieza
EMX1FHAT2R
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
NPNNPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos
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Número de pieza EMX1FHAT2R
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor 2 NPN (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
Corriente - corte de colector (máximo) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V
Potencia - Max 150mW
Frecuencia - Transición 180MHz
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor EMT6

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