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| Número de pieza | FJ4B01100L1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.2A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 74 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1.2mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 459pF @ 10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 360mW (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | XLGA004-W-0808-RA01 |
| Paquete / caja | 4-XFLGA, CSP |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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FJ4B01100L1 | Panasonic Electronic Components | CSP SINGLE P-CHANNEL MOSFET | - | 322843 | Detalles |
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