NXH80T120L2Q0S2G

PIM 1200V 80A TNPC CUSTO
NXH80T120L2Q0S2G P1
NXH80T120L2Q0S2G P1
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ON Semiconductor ~ NXH80T120L2Q0S2G

Número de pieza
NXH80T120L2Q0S2G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
PIM 1200V 80A TNPC CUSTO
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- NXH80T120L2Q0S2G PDF online browsing
Familia
Transistores - IGBT - Módulos
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Número de pieza NXH80T120L2Q0S2G
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT Trench Field Stop
Configuración Three Level Inverter
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 57A
Potencia - Max 125W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.85V @ 15V, 80A
Corriente - corte de colector (máximo) 300µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 19.4nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC Yes
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Module
Paquete de dispositivo del proveedor 18-PIM/Q0PACK (55x32.5)

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