NV25010DWHFT3G

1KB SPI SER CMOS EEPROM
NV25010DWHFT3G P1
NV25010DWHFT3G P1
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ON Semiconductor ~ NV25010DWHFT3G

Número de pieza
NV25010DWHFT3G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
1KB SPI SER CMOS EEPROM
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- NV25010DWHFT3G PDF online browsing
Familia
Memoria
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Número de pieza NV25010DWHFT3G
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de memoria EEPROM
Tecnología -
Tamaño de la memoria 1Kb (128 x 8)
Frecuencia de reloj 10MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página 4ms
Tiempo de acceso 40ns
interfaz de memoria SPI
Suministro de voltaje 2.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC

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