NSBA123EDXV6T1

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
NSBA123EDXV6T1 P1
NSBA123EDXV6T1 P1
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ON Semiconductor ~ NSBA123EDXV6T1

Número de pieza
NSBA123EDXV6T1
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
NSBA123EDXV6T1.pdf NSBA123EDXV6T1 PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados
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Número de pieza NSBA123EDXV6T1
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 2.2k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 2.2k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 8 @ 5mA, 10V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Corriente - corte de colector (máximo) 500nA
Frecuencia - Transición -
Potencia - Max 500mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-563

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