MUN5216DW1T1G

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
MUN5216DW1T1G P1
MUN5216DW1T1G P1
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ON Semiconductor ~ MUN5216DW1T1G

Número de pieza
MUN5216DW1T1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- MUN5216DW1T1G PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados
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Número de pieza MUN5216DW1T1G
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 4.7k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) -
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Corriente - corte de colector (máximo) 500nA
Frecuencia - Transición -
Potencia - Max 250mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor SC-88/SC70-6/SOT-363

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