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| Número de pieza | IRFU220BTU-AM002 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.6A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 2.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 390pF @ 25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.5W (Ta), 40W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | I-PAK |
| Paquete / caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IRFU220BTU-AM002 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK | - | 220209 | Detalles |
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IRFU220BTU_AM002 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK | 2463 | Detalles | |
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IRFU220BTU_F080 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK | 0 | Detalles | |
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IRFU220BTU_FP001 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK | 0 | Detalles | |
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IRFU220N | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK | 0 | Detalles | |
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IRFU220NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK | 3013 | Detalles | |
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IRFU220PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 4.8A I-PAK | - | 2902 | Detalles |
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IRFU220_R4941 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK | 0 | Detalles | |
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IRFU224 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 3.8A I-PAK | - | 0 | Detalles |
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IRFU224PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 3.8A I-PAK | - | 2750 | Detalles |