FDD5N50UTM-WS

MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
FDD5N50UTM-WS P1
FDD5N50UTM-WS P1
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ON Semiconductor ~ FDD5N50UTM-WS

Número de pieza
FDD5N50UTM-WS
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza FDD5N50UTM-WS
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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