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| Número de pieza | SI9936DY,518 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potencia - Max | 900mW |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SO |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SI9910DJ-E3 | Vishay Siliconix | IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8DIP | - | 0 | Detalles |
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SI9910DY-E3 | Vishay Siliconix | IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC | - | 0 | Detalles |
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SI9910DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC | - | 0 | Detalles |
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SI9912DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC | - | 0 | Detalles |
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SI9913DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC | 0 | Detalles | |
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SI9926BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC | - | 0 | Detalles |
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SI9926BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC | - | 0 | Detalles |
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SI9926CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC | - | 0 | Detalles |
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SI9926CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC | - | 37500 | Detalles |
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SI9933BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8-SOIC | - | 0 | Detalles |
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SI9933CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC | - | 0 | Detalles |