PDTD123TS,126

TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
PDTD123TS,126 P1
PDTD123TS,126 P2
PDTD123TS,126 P1
PDTD123TS,126 P2
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NXP USA Inc. ~ PDTD123TS,126

Número de pieza
PDTD123TS,126
Fabricante
NXP USA Inc.
Descripción
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
PDTD123TS,126.pdf PDTD123TS,126 PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
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Número de pieza PDTD123TS,126
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 2.2k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) -
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Corriente - corte de colector (máximo) 500nA
Frecuencia - Transición -
Potencia - Max 500mW
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Paquete de dispositivo del proveedor TO-92-3

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