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| Número de pieza | 74HCT4353N,112 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Circuito de conmutación | SPDT |
| Circuito multiplexor / demultiplexor | 2:1 |
| Cantidad de circuitos | 3 |
| Resistencia en estado (Máx) | 120 Ohm |
| Coincidencia de canal a canal (& Delta; Ron) | 6 Ohm |
| Voltaje: suministro, individual (V +) | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Voltaje - Suministro, Dual (V ±) | ±1 V ~ 5 V |
| Tiempo de cambio (Ton, Toff) (Max) | 45ns, 45ns |
| Ancho de banda de -3db | 170MHz |
| Inyección de carga | - |
| Capacitancia de canal (CS (apagado), CD (apagado)) | 3.5pF |
| Current - Leakage (IS (off)) (Max) | 100nA |
| Diafonía | -60dB @ 1MHz |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Paquete / caja | 20-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 20-DIP |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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74HCT00BQ,115 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-DHVQFN | 0 | Detalles | |
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74HCT00BQ-Q100,115 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-DQFN | 0 | Detalles | |
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74HCT00D | Toshiba Semiconductor and Storage | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC | - | 813637 | Detalles |
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74HCT00D(BJ) | Toshiba Semiconductor and Storage | IC GATE NAND QUAD 2 IN 14SOIC | - | 2500 | Detalles |
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74HCT00D,652 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO | 7981 | Detalles | |
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74HCT00D,653 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO | 0 | Detalles | |
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74HCT00D-Q100,118 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO | 0 | Detalles | |
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74HCT00D/AUJ | NXP USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO | 0 | Detalles | |
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74HCT00DB,112 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SSOP | 112 | Detalles | |
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74HCT00DB,118 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SSOP | 0 | Detalles | |
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74HCT00N,652 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-DIP | 0 | Detalles | |
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74HCT00PW,112 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-TSSOP | 0 | Detalles |