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| Número de pieza | PMPB10XNE,115 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2175pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 9A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 6-DFN2020MD (2x2) |
| Paquete / caja | 6-UDFN Exposed Pad |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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PMPB100ENEAX | Nexperia USA Inc. | PMPB100ENEA/SOT1220/SOT1220 | - | 6957 | Detalles |
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PMPB100ENEX | Nexperia USA Inc. | PMPB100ENE/SOT1220/SOT1220 | - | 408891 | Detalles |
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PMPB100XPEAX | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DFN2020MD | - | 7236 | Detalles |
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PMPB10XNE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN | 0 | Detalles | |
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PMPB10XNEAX | Nexperia USA Inc. | PMPB10XNEA/SOT1220/SOT1220 | - | 324258 | Detalles |
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PMPB10XNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V SOT1220 | 0 | Detalles | |
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PMPB11EN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN | 0 | Detalles | |
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PMPB12UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN | - | 0 | Detalles |
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PMPB12UNEAX | Nexperia USA Inc. | PMPB12UNEA/SOT1220/SOT1220 | - | 301764 | Detalles |
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PMPB12UNEX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V SOT1220 | 2950 | Detalles | |
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PMPB13XNE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 8A 6DFN | 0 | Detalles | |
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PMPB14XPX | Nexperia USA Inc. | PMPB14XP/SOT1220/SOT1220 | - | 425233 | Detalles |