JANSR2N5153U3

RH POWER BJT
JANSR2N5153U3 P1
JANSR2N5153U3 P1
Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.

Microsemi Corporation ~ JANSR2N5153U3

Número de pieza
JANSR2N5153U3
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
RH POWER BJT
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- JANSR2N5153U3 PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple
  • En stock $ Cantidad pcs
  • Precio de referencia : submit a request

Enviar una solicitud de cotización en cantidades mayores que las mostradas.

Parámetro del producto

Todos los productos

Número de pieza JANSR2N5153U3
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 80V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 1.5V @ 500mA, 5A
Corriente - corte de colector (máximo) 1mA
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 2.5A, 5V
Potencia - Max -
Frecuencia - Transición -
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 3-SMD, No Lead
Paquete de dispositivo del proveedor U3

Productos relacionados

Todos los productos