JAN2N5012S

NPN TRANSISTOR
JAN2N5012S P1
JAN2N5012S P1
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Microsemi Corporation ~ JAN2N5012S

Número de pieza
JAN2N5012S
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
NPN TRANSISTOR
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple
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Número de pieza JAN2N5012S
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de transistor NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 700V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic -
Corriente - corte de colector (máximo) 10nA (ICBO)
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 25mA, 10V
Potencia - Max 1W
Frecuencia - Transición -
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Paquete de dispositivo del proveedor TO-39 (TO-205AD)

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