MKI75-12E8

MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 130A E3
MKI75-12E8 P1
MKI75-12E8 P1
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IXYS ~ MKI75-12E8

Número de pieza
MKI75-12E8
Fabricante
IXYS
Descripción
MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 130A E3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
MKI75-12E8.pdf MKI75-12E8 PDF online browsing
Familia
Transistores - IGBT - Módulos
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Número de pieza MKI75-12E8
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de IGBT NPT
Configuración Full Bridge Inverter
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 130A
Potencia - Max 500W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 75A
Corriente - corte de colector (máximo) 1.1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 5.7nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja E3
Paquete de dispositivo del proveedor E3

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