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| Número de pieza | IXTY1R6N50P |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.6A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 25µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-252, (D-Pak) |
| Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IXTY01N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK | - | 4699 | Detalles |
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IXTY01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA | - | 699 | Detalles |
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IXTY01N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA | - | 0 | Detalles |
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IXTY02N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK | - | 0 | Detalles |
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IXTY02N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK | 30 | Detalles | |
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IXTY02N50D TRL | IXYS | MOSFET N-CH | - | 31739 | Detalles |
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IXTY06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252 | - | 0 | Detalles |
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IXTY08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK | - | 1957 | Detalles |
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IXTY08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 | - | 0 | Detalles |
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IXTY08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220 | - | 0 | Detalles |
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IXTY08N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK | 526 | Detalles | |
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IXTY10P15T | IXYS | MOSFET P-CH 150V 10A TO-252 | 0 | Detalles |