IXTX22N100L

MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247
IXTX22N100L P1
IXTX22N100L P1
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IXYS ~ IXTX22N100L

Número de pieza
IXTX22N100L
Fabricante
IXYS
Descripción
MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- IXTX22N100L PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza IXTX22N100L
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 22A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7050pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 11A, 20V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor PLUS247™-3
Paquete / caja TO-247-3

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