IXTP18P10T

MOSFET P-CH 100V 18A TO-220
IXTP18P10T P1
IXTP18P10T P1
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IXYS ~ IXTP18P10T

Número de pieza
IXTP18P10T
Fabricante
IXYS
Descripción
MOSFET P-CH 100V 18A TO-220
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza IXTP18P10T
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 18A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2100pF @ 25V
Vgs (Max) ±15V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 9A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / caja TO-220-3

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