IXTM50N20

POWER MOSFET TO-3
IXTM50N20 P1
IXTM50N20 P1
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IXYS ~ IXTM50N20

Número de pieza
IXTM50N20
Fabricante
IXYS
Descripción
POWER MOSFET TO-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza IXTM50N20
Estado de la pieza Last Time Buy
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 220nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4600pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-204AE
Paquete / caja TO-204AE

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