IXTD5N100A

MOSFET N-CH 1000V 5A DIE
IXTD5N100A P1
IXTD5N100A P1
Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.

IXYS ~ IXTD5N100A

Número de pieza
IXTD5N100A
Fabricante
IXYS
Descripción
MOSFET N-CH 1000V 5A DIE
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- IXTD5N100A PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
  • En stock $ Cantidad pcs
  • Precio de referencia : submit a request

Enviar una solicitud de cotización en cantidades mayores que las mostradas.

Parámetro del producto

Todos los productos

Número de pieza IXTD5N100A
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 5A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) -
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Temperatura de funcionamiento -
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor Die
Paquete / caja Die

Productos relacionados

Todos los productos