IXFE73N30Q

MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B
IXFE73N30Q P1
IXFE73N30Q P1
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IXYS ~ IXFE73N30Q

Número de pieza
IXFE73N30Q
Fabricante
IXYS
Descripción
MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza IXFE73N30Q
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 300V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 66A
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 190nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6400pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46 mOhm @ 36.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / caja SOT-227-4, miniBLOC

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