IXFB80N50Q2

MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
IXFB80N50Q2 P1
IXFB80N50Q2 P1
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IXYS ~ IXFB80N50Q2

Número de pieza
IXFB80N50Q2
Fabricante
IXYS
Descripción
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza IXFB80N50Q2
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 80A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 250nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 15000pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 500mA, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor PLUS264™
Paquete / caja TO-264-3, TO-264AA

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